武汉消费电子近场辐射解决方案 扬芯科技供应

辐射近场扫频测量的研究，就一般情况而言，天线都在一个频带内工作，武汉消费电子近场辐射解决方案，因此，各项电指标都是频率的函数，为了快速获得各个频率点的电指标，就需要进行扫频测量，武汉消费电子近场辐射解决方案，武汉消费电子近场辐射解决方案。扫频测量的理论与点频的理论完全一样，只是在探头扫描时，收发测量系统作扫频测量。时域辐射近场测量的研究，为了反映脉冲工作状态和消除环境及其他因素对测量数据的影响，时域测量是一个良好的解决此类问题的途径，但目前处于研究阶段。前述的辐射近场测量方法都需要测量出近场的相位和幅度，才能利用近场理论计算出天线的远场电特性，为了简化计算公式和测量系统以及降低测量时间与测量的相位误差（在频率f很高的情况下，即f＞80 GHz，相位的测量误差是很大的），于是，有学者提出只用近场测量值的幅度来重建天线远场的方法。和近场类似，远场的起始也没有统一的定义。武汉消费电子近场辐射解决方案

散射近场测量：当辐射体变为散射体时，辐射近场测量转换为散射近场测量。由于散射体是无源的，因此需要一个照射源对其进行照射，同辐射近场测量一样，散射近场测量也有3种取样方式，分别称为平面散射近场测量和柱面散射近场测量以及球面散射近场测量。平面散射近场已取得了许多研究成果，柱面、球面散射近场测量的研究成果公开报道的文献很少。散射体的散射特性通常用雷达散射截面（Radar Cross Section，简写为RCS）来衡量，有一定量和相对量之分，一定量一般是以一个已知散射体的RCS为标准来标定待测散射体的RCS，标准值来自理论计算和测量值；相对量用散射方向图来表示。武汉干扰源近场辐射测试仪价格远场分量的强度距离衰减二次组件。

近场 EMI 测量的问题在于使用近场探头的测量结果和使用天线进行远场测量的结果无法直接进行数学转换。但是存在一个基本原理：近场的辐射越大，远场的辐射也必然越大。所以使用近场探头测量，实际上是一个相对量的测量，而不是精确的一定量测量。使用近场探头进行 EMI 预兼容测试时，我们常常把新被测件测试结果和一个已知合格被测件的近场探头测试（近场测试）结果进行比较，来预测EMI 辐射泄漏测试（远场测试）的结果，而不是直接和符合EMI兼容标准的限制线进行比较。同时，测试的一定数值意义也不大，因为这个测试结果和诸多变量，包括探头的位置方向、被测件的形状等会密切相关。

在实际使用中，感兴趣的是辐射远场区。通常的应用中，我们应该避免收、发天线处在近场区范围，因为此时不但天线的方向图没有形成，而且在近场范围内的任何导电体甚至介质物体都被看成是天线电磁边界条件的一部分，它影响了原来的天线，和原来的天线一起共同修正和改变了远场的方向图辐射特性，从而影响了实际使用效果。某些特殊应用场合，天线和其它物体靠得很近，从而使天线的辐射特性变得极其复杂，比如手机天线置于人体附近的情况，这需要专门予以讨论。以焦斑为中心，落在其前后半个瑞利长度范围外的光场为近场，否则称为远场。

近区场通常具有如下特点：近区场内，电场强度与磁场强度的大小没有确定的比例关系。即：E 377H。一般情况下，对于电压高电流小的场源(如发射天线、馈线等)，电场要比磁场强得多，对于电压低电流大的场源(如某些感应加热设备的模具)，磁场要比电场大得多。近区场的电磁场强度比远区场大得多。从这个角度上说，电磁防护的重点应该在近区场。 近区场的电磁场强度随距离的变化比较快，在此空间内的不均匀度较大。远区场的主要特点如下： 在远区场中，所有的电磁能量基本上均以电磁波形式辐射传播，这种场辐射强度的衰减要比感应场慢得多。在远区场，电场强度与磁场强度有如下关系：在国际单位制中，E=377H，电场与磁场的运行方向互相垂直，并都垂直于电磁波的传播方向。远区场为弱场，其电磁场强度均较小在反应区里，电场和磁场是很强的，并且可以单独测量。武汉干扰源近场辐射测试仪价格

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无功近场区：又称为电抗近场区，是天线辐射场中紧邻天线口径的一个近场区域。在该区域中，电抗性储能场占支配地位，该区域的界限通常取为距天线口径表面λ/2π处。从物理概念上讲，无功近场区是一个储能场，其中的电场与磁场的转换类似于变压器中的电场、磁场之间的转换，是一种感应场。辐射近场区：超过电抗近场区就到了辐射场区，辐射场区的电磁场已经脱离了天线的束缚，并作为电磁波进入空间。按照与天线距离的远近，又把辐射场区分为辐射近场区和辐射远场区。在辐射近场区中，辐射场占优势，并且辐射场的角度分布与距离天线口径的距离有关。对于通常的天线，此区域也称为菲涅尔区。武汉消费电子近场辐射解决方案

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